EDC濕法顯影刻蝕系統光刻膠顯影（KrF/ArF）SU8厚膠顯影顯影后清洗PostCMP清洗光刻膠去除金屬Lift-off處理刻蝕微刻蝕處理新一代的旋轉噴淋式濕法處理機臺，不僅jinque控制試劑注射，還能夠大大節約試劑，綠色環保的濕法處理方案。頂蓋閥門控制技術顯影液注射頭的位置我們采用dujia的VoD頂蓋閥門控制技術，確保在基片中心位置垂直向下噴射，確保樣片表面的試劑受力均勻性。VS其他廠商提供的噴射裝置參考如下圖，是從圓弧頂蓋的不同角度傾斜噴射時，樣片收集到的試劑量不均...

據第三方機構智研咨詢統計，至2022年quanqiu光刻膠市場規模將超過100億美元。光刻膠按應用領域分類，可分為PCB光刻膠、顯示面板光刻膠、半導體光刻膠及其他光刻膠。quanqiu市場上不同種類光刻膠的市場結構較為均衡，具體占比可以如下圖所示。據智研咨詢的數據顯示，受益于半導體、顯示面板、PCB產業東移的趨勢，2019年中國光刻膠市場本土企業銷售規模約70億元，quanqiu占比約10%，發展空間巨大。目前，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示、半導體用光刻膠供應...

等離子去膠機是我們在微波等離子處理工藝中的新產品。該批次式晶圓灰化設備成本低廉、尺寸適中，特別適用于工廠、科研院所等領域。等離子去膠機操作規程：1、自動切割小車應經空車運轉，并選定切割速度；2、使用釷、鎢電極應符合JGJ33-2001第12.7.8條規定；3、高頻發生器應設有屏蔽護罩，用高頻引弧后，應立即切斷高頻電路；4、應檢查并確認電源、氣源、水源無漏電、漏氣、漏水，接地或接零安全可靠；5、操作人員應站在上風處操作。可從工作臺下部抽風，并宜縮小操作臺上的敞開面積；6、小車、...

等離子刻蝕機一般應用于半導體加工領域，而等離子清洗機則一般應用于材料領域。等離子清洗處理可改變材料的表面化學。因此能改變材料的表面性質。例如，大氣或是氧氣等離子常用在聚合物(例如聚苯乙烯,聚乙烯)表面產生羥基。通常表面從疏水性(高水接觸角)改變至親水性（水接觸角小于30度），并增加表面潤濕性能。等離子處理也能改變其它材料的表面化學（表面性質），如硅、不銹鋼及玻璃。用低溫等離子體在適宜的工藝條件下處理PE、PP、PVF2、LDPE等材料，材料的表面形態發生顯著的變化，引入了多種...

PDMS是一種有機聚合物材料，廣泛應用微流控芯片實驗室。今天我們來介紹有關如何進行PDMS光刻復制，也稱為軟光刻工藝，為您提供一些實驗中的小技巧，優化您的實驗結果。01硅烷化模具的制備*使用模具時，必須使其疏水。SU-8模具中的硅通常具有很強的親水性，因此PDMS對它有良好的親和力，其強度足以使之無法剝離，只能將模具破壞并從頭開始實驗。這里我們使用硅烷功能，一旦在表面上yongjiu粘合，也可使接觸角超過90°，表面疏水。可以使用氣體或液體處理，即通過氣體或連續的液浴將硅烷功...

懸浮活性硅膜厚度測量，適用于MEMS微機電系統應用，光斑尺寸為25um。簡介硅基底的傳感器因其高性能、低成本和小尺寸而廣泛應用于不同的MEMS微機電系統。懸浮在圖案上的硅膜或基于SOI的傳感器上的活性硅層的厚度對于控制終平臺的性能至關重要[1]。在這里，我們已經在一個MEMS微機電系統壓力傳感器上測量了硅薄膜厚度，使用的是孔徑為250μm的FR-μProbe，該工具安裝在一個徠卡分模光學顯微鏡上。使用10倍物鏡進行測量，該物鏡與選定的孔徑大小一起對應于25μm的光斑大小(測量...

懸浮活性硅膜厚度測量，適用于MEMS微機電系統應用，光斑尺寸為25um。簡介硅基底的傳感器因其高性能、低成本和小尺寸而廣泛應用于不同的MEMS微機電系統。懸浮在圖案上的硅膜或基于SOI的傳感器上的活性硅層的厚度對于控制終平臺的性能至關重要[1]。在這里，我們已經在一個MEMS微機電系統壓力傳感器上測量了硅薄膜厚度，使用的是孔徑為250μm的FR-μProbe，該工具安裝在一個徠卡分模光學顯微鏡上。使用10倍物鏡進行測量，該物鏡與選定的孔徑大小一起對應于25μm的光斑大小(測量...