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    當前位置:首頁  >  技術文章

    • 2025

      4-22

      退火爐的溫場均勻性是決定材料熱處理質量的核心參數,直接影響晶粒尺寸、相變行為及殘余應力分布。本文系統探討溫場均勻性的關鍵影響因素、優化策略及工業應用案例,為高精度退火工藝提供理論指導與技術解決方案。1.溫場均勻性的技術意義與評價指標1.1均勻性對材料性能的影響·半導體晶圓:溫度偏差±5℃可導致摻雜濃度波動10%,載流子遷移率下降20%(參考IEEETrans.Semicond.Manuf.,2019)。·金屬板材:局部溫差20℃引發非均勻再結晶,拉伸強度分散度增...

    • 2025

      4-21

      快速退火爐的選型需要綜合考慮工藝需求、材料特性、設備性能以及預算等因素。以下是選型時需要關注的關鍵參數和步驟:---**1.明確工藝需求**?材料類型:金屬、半導體(如硅、GaN)、玻璃、陶瓷等,不同材料對溫度范圍和氣氛的要求差異較大。?退火目的:消除應力、再結晶、摻雜激活(如半導體離子注入后的退火)、改善材料性能等。?工藝參數:?溫度范圍:最高溫度需覆蓋材料退火需求(例如半導體退火可能需要1200°C以上,金屬可能更低)。?升溫速率:快速退火通常要求很高升溫速度(如100°...

    • 2025

      4-10

      如何選擇晶圓劃片機?關鍵技術與選型指南在半導體制造、MEMS器件封裝、光電子芯片加工等領域,晶圓劃片機(WaferDicingMachine)是將整片晶圓切割成獨立芯片(Die)的核心設備。其性能直接決定芯片的切割質量、生產效率和成本。然而,面對市場上種類繁多的劃片機(如機械劃片、激光切割、等離子蝕刻等),如何選擇適合的機型?本文將從技術原理、應用場景和關鍵參數出發,系統解析選型邏輯。一、明確需求:四大核心問題在選擇劃片機前,需明確以下基礎問題:1.加工材料類型傳統硅基晶圓:...

    • 2025

      4-9

      如何將整片晶圓分割成獨立的芯片呢?將硅片分裂成小片的過程通常稱為“劃片”或“切割”(Dicing),這是半導體制造中的關鍵步驟,用于將晶圓分割成獨立的芯片(die)。以下是幾種常見方法及注意事項:1.機械劃片(DicingSaw)原理:使用高速旋轉的金剛石刀片或硬質合金刀片切割硅片。步驟:貼膜:將硅片背面粘貼在藍膜(UV膠膜)上,固定位置。劃片:用劃片機沿預先設計的切割道(切割線)進行切割。清洗:去除切割產生的碎屑(可用去離子水或超聲波清洗)。分離:拉伸藍膜使小芯片分離。優點...

    • 2025

      4-8

      邁可諾科研型納米壓印機RD-NIL100,是一款桌面型納米壓印系統。主要應用于微米或納米結構的壓印成型。一、納米壓印機應用1.1DOE(人臉識別衍射元器件)可用于制造高精度的衍射光學元件(DOE),這些元件在人臉識別技術中起到關鍵作用。通過納米壓印技術,能夠在基材上形成微米或納米級的復雜光學結構,用于光束整形和衍射,從而提升人臉識別設備的成像質量和識別精度。1.2Diffuser(擴散元器件)該設備適用于生產光學擴散器,通過壓印形成均勻的微納結構,實現光的散射和擴散。這種擴散...

    • 2025

      3-31

      接觸角的含義什么是接觸角?接觸角為我們提供了液體在表面上鋪展的好壞的指標。在配制油墨時,接觸角提供了一個有用的指標,表明油墨的改性將如何影響其鋪展。接觸角可大可小,取決于被研究材料的物理性質。下圖顯示了表面上的三種不同的水滴。最左邊的液滴具有大的接觸角,因為它不會在固體表面上擴散。最右邊的液滴具有低接觸角,因為它擴散得很好。這種擴散被稱為“潤濕”,當液滴沉積在表面上時,或者“潤濕”或者“去潤濕”。下圖顯示了固體表面上液滴的2D截面。定位液滴輪廓與固體表面相交的點。液滴輪廓和固...

    • 2025

      3-28

      一、為何選擇錫替代鉛?傳統鉛基鈣鈦礦(如(fapbi?)的效率已突破30%,但其毒性問題引發環境擔憂。錫與鉛同屬iv族元素,電子特性相似,且毒性更低。此外,錫鈣鈦礦的理論極限效率(,33%)()甚至略高于鉛基材料。然而,錫的超快結晶特性導致薄膜易出現孔洞、晶粒不均等問題二、實驗方法:氮氣脈沖+添加劑「雙管齊下」關鍵策略****-調控」結晶法**::觸發:用氮氣脈沖瞬間加速溶劑蒸發,誘導成核。,誘導成核。調控:通過添加劑(如masncl?),改變溶液化學環境,延緩晶核生長速度,...

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